在日前的SKAI峰会上，SK海力士CEO展示了业界首款16-HiHBM3E高带宽内存，并计划在明年开始提供样品，暂时领先三星和美光。并且，随着HBM4开发进展顺利，SK海力士被Nvidia要求至少提前6个月上市。

在几周前，SK海力士就发布了其12-Hi版本的HBM3E，并获得了AMD（MI325X）和Nvidia（BlackwellUltra）的订单。SK海力士在HBM领域的领先优势让其在Q3赚得盆满钵满。显然SK希望通过率先发布更新的HBM3E来继续保持着一优势，最新的16-HiHBM3E的每层容量可达48GB（每颗独立芯片3GB），这一密度将允许AI加速器在8层配置中实现高达384GB的HBM3E内存。

据SK海力士介绍，利用最新的16-HiHBM3E高带宽内存，让AI训练性能提升了18%，推理性能则提升了32%。与12-Hi类似，16-Hi陈皮采用MR-MUF等封装技术，通过熔化芯片之间的焊料来连接芯片。SK海力士预计16-HiHBM3E样品将于2025年初准备好。

不过这一产品的领先优势可能并不会保持太久，因为Nvidia的下一代Rubin芯片计划于明年晚些时候量产，Rubin将基于HBM4高带宽内存，这也就意味着SK海力士在Q3就得为Nvidia批量生产出HBM4。而SK海力士计划在明年提供16-HiHBM3E。这两代产品显然会形成较为明显的竞争。当然，SK海力士也可能将16-Hi产品作为HBM4的替代或补充，毕竟旗舰产品的产能有限，到目前为止，仍未看到供应链短缺有缓解的趋势。

值得注意的是，据路透社报道，SK集团董事长崔泰源表示，Nvidia已要求SK海力士将下一代HBM4高带宽内存芯片的交付时间提前六个月。如果按照原定计划，SK海力士在明年Q3为Nvidia准备好HBM4，那么如果提前6个月的话，那意味着在明年Q1就得交付给Nvidia。

崔泰源称，应NvidiaCEO黄仁勋的要求，HBM4的交付时间将提前，但并未提供具体的时间表。

如果真的提前到明年Q1交付的话，那么HBM4将先于16-HiHBM3E上市。按照标准，HBM4有24Gb和32Gb两种内存容量层，并有4-Hi、8-Hi、12-Hi和16-Hi等4种TSV堆栈方式。据相关小时，SK海力士和三星都计划在2025年下半年开始批量生产12-Hi的HBM4芯片，这些芯片的性能由于技术的不同会有差异，但据JEDEC标准，其性能至少要达到6.4GT/s。

在HBM4制造方面，SK海力士将与台积电合作。据台积电透露，HBM4将使用12FFC+（即12nm）和N5（5nm）工艺技术生产基础芯片。更先进的N5工艺能实现更高的逻辑密度和更短的互连间距，从而允许将内存直接集成到CPU和GPU中。或者，12FFC+工艺将通过使用硅中介层将内存与主机处理器连接起来，提供更具成本效益的方案，并在性能和可负担性之间取得平衡。